離子濺射儀

柔性電子

柔性電子技術

原子層沉積

離子濺射儀器是一種用于交通運輸工程領域的分析儀器，于2016年06月28日啟用。（1）樣品室大小：直徑120mm×高度120mm； （2）靶材：Au靶、Au/Pd靶、Pt靶、Pt/Pd靶，靶材尺寸：直徑57mm×厚度0.1mm； （3）樣品臺：可以裝載12個SEM樣品座，高度可調范圍為50mm； （4）濺射控制：程序化數字控制，最大電流40mA； （5）濺射頭：低電壓平面磁控管； （6）厚度監控：MTM-20高分辨厚度控制儀，可自動終止濺射過程。

柔性電子（Flexible Electronics）是一種技術的通稱，是將有機/無機材料電子器件制作在柔性/可延性基板上的新興電子技術。相對于傳統電子，柔性電子具有更大的靈活性，能夠在一定程度上適應不同的工作環境，滿足設備的形變要求。但是相應的技術要求同樣制約了柔性電子的發展。首先，柔性電子在不損壞本身電子性能的基礎上的伸展性和彎曲性，對電路的制作材料提出了新的挑戰和要求；其次，柔性電子的制備條件以及組成電路的各種電子器件的性能相對于傳統的電子器件來說仍然不足，也是其發展的一大難題。

是一種可以將物質以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學沉積有相似之處。但在原子層沉積過程中，新一層原子膜的化學反應是直接與之前一層相關聯的，這種方式使每次反應只沉積一層原子。

原子層沉積（Atomic layer deposition)是一種可以將物質以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學沉積有相似之處。

但在原子層沉積過程中，新一層原子膜的化學反應是直接與之前一層相關聯的，這種方式使每次反應只沉積一層原子。

單原子層沉積（atomic layer deposition，ALD），又稱原子層沉積或原子層外延（atomic layer epitaxy） ，最初是由芬蘭科學家提出并用于多晶熒光材料ZnS:Mn以及非晶Al2O3絕緣膜的研制，這些材料是用于平板顯示器。由于這一工藝涉及復雜的表面化學過程和低的沉積速度，直至上世紀80年代中后期該技術并沒有取得實質性的突破。

但是到了20世紀90年代中期，人們對這一技術的興趣在不斷加強，這主要是由于微電子和深亞微米芯片技術的發展要求器件和材料的尺寸不斷降低，而器件中的高寬比不斷增加，這樣所使用材料的厚度降低至幾個納米數量級。

原子層沉積

因此，原子層沉積技術的優勢就體現出來，如單原子層逐次沉積，沉積層極均勻的厚度和優異的一致性等就體現出來，而沉積速度慢的問題就不重要了。以下主要討論原子層沉積原理和化學，原子層沉積與其他相關技術的比較，原子層沉積設備，原子層沉積的應用和原子層沉積技術的發展。

原理